（二模）2024~2025 学年度苏锡常镇四市高三教学情况调研（二） 语文试卷（含标准答案）■★◆★.docx

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　　基于51单片机的万年历设计 目录 TOC \o 1-3 \h \z \u 第一章 绪论 3 第二章 设计要求及设计框图 4 2■◆★.1 设计要求 4 2.2 设计框图 4 第三章 知识要点 4 3★■.1 LMO16L液晶模块 4 3.1.1 LM016L引脚说明 5 3★★◆◆★◆.1.2 控制指令 5 3.1.3 基于Proteus ISIS 7的液晶模块仿线.2 管脚说明 9 3.2.3 振荡器特性 11 3★★■★◆.2.4 芯片擦除 11 3■■◆★■.3 时钟芯片DS1302 11 3.3.1 DS1302的控制字节 12 3.3.2 数据输入输出（I/O） 12 3.3.3 DS1302的寄存器 12 3.4 DS18B20数字温度传感器 13 3.4.1技术性能描述 13 3.4■◆■◆★◆.2 DS18B20主要的数据部件 14 3■◆◆■★■.4.3 DS18B20温度处理过程 15 3.4.4 DS18B20的主要特性 17 3.4.5 DS18B20的外形和内部结构 17 3★■■.4◆◆★.6 DS18B20工作原理 18 3■★★◆★■.4.7 DS18B20的应用电路 21 3.4.8 DS18B20使用中注意事项 23 第四章 硬件设计 24 4.1 Proteus软件 24 4■★◆■◆.1.1 Proteus软件介绍 24 4.1.2 功能特点 24 4★◆◆★■.1.3 革命性的特点 24 4.1.4 基本操作 25 4★■■■■★.1.5 选择要使用的元件 25 4★◆◆■■.1.6 功能模块 26 4.2 基于89C51的万年历与温度显示器的硬件设计 28 4.2.1 设计框图 29 4◆■◆■★.2.2 电路原理图 29 4◆■.3 元件清单 30 基于51单片机的万年历设计全文共40页，当前为第1页。 第五章 软件设计 30 基于51单片机的万年历设计全文共40页■■★■★，当前为第1页。 5.1 Keil软件 30 5.1◆■★★★.1 Keil软件介绍 30 5■★◆■.1◆★■◆■.2Keil C51单片机软件开发系统的整体结构 31 5.1.3 使用独立的Keil仿线 5.3 程序清单 32 第六章 系统仿线 第七章 设计心得体会 39 参考文献 40 基于51单片机的万年历设计全文共40页★◆◆■◆，当前为第2页。 基于51单片机的万年历设计全文共40页，当前为第2页■■■★★■。 第一章 绪论 目前单片机渗透到我们生活的各个领域■★■，几乎很难找到哪个领域没有单片机的踪迹◆◆■◆■■。 导弹的导航装置，飞机上各种仪表的控制，计算机的网络通讯与数据传输，工业自动化过程的实时控制和数据处理，广泛使用的各种智能 IC卡■★◆◆■◆，民用豪华轿车的安全保障系统， 录像机、 摄像机、全自动洗衣机的控制，以及程控玩具、电子宠物等等，这些都离不开单片机。更不用说自动控制领域的机器人■■★、智能仪表、医疗器械以及各种智能机械了◆■■★。因此◆■◆◆◆，单片机的学习、开发与应用将造就一批计算机应用与智能化控制的科学家★◆、工程师◆■★◆■。 单片机是一种集成在 电路芯片，是采用 超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU 随机存储器RAM■■★、 只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统◆★■★、定时器/ 计时器等功能（可能还包括显示驱动电路、 脉宽调制电路、模拟多路转换器◆◆★★◆、 A/D转换器等电路）集成到一块硅片上构成的一个小而完善的 计算机系统。 单片机广泛应用于仪器仪表、家用电器、医用设备、航空航天■■■、专用设备的智能化管理及过程控制等领域，大致可分如下几个范畴： 在 智能仪器仪表上的应用 在工业控制中的应用 在家用电器中的应用 在计算机网络和通信领域中的应用 单片机在医用设备领域中的应用 在各种大型电器中的模块化应用 单片机在汽车设备领域中的应用 基于单片机在现实生活中的广泛应用，及人们对于万年历、温度显示的需求度，现设计出一款基于89C51的万年历及温度显示系统。 此设计是数据采集及处理，显示系统及与单片机有效结合。此设计是通过在◆■★■“单片机原理及应用”课堂上学习的知识的综合应用。 基于51单片机的万年历设计全文共40页，当前为第3页。本系统设计以单片机89C51为控制器，辅以时钟芯片Ds1302、温度传感器Ds18b20、液晶显示器LM016L ◆■。 基于51单片机的万年历设计全文共40页，当前为第3页★★■。 基于89C51的万年历及温度显示系统，主要由单片机89C51◆◆■、时钟芯片Ds1302、温度传感器Ds18b20■★◆★◆、液晶显示器LM016L等构成，具有显示当前时间凯发国际网络平台网址◆★、年月日及温度的功能◆■◆■◆。 第二章 设计要求及设计框图 2★◆■◆.1 设计要求 具有年■★、月、日、星期■◆★◆、时、分、秒等功能★★★◆； 具有温度显示功能； 2.2 设计框图 AT89C51 AT89C51主控模块 LM016L液晶显示 Ds1302时钟电路 Ds18b20实时环境温度采集电路 第三章 知识要点 3★■★◆■.1 LMO16L液晶模块 LM016L液晶模块采用HD44780控制器。HD44780具有简单而功能较强的指令集，可以实现字符移动、闪烁等功能。 基于51单片机的万年历设计全文共40页★◆■■，当前为第4页★◆■■。LM016L与单片机 MCU（Microcontroller Unit）通讯可采用 8位或者 4位并行传输两种方式。HD44780控制器由两个8位寄存器■◆、指令寄存器（IR）和数据寄存器（DR）、忙标志（BF）、显示数据 RAM（DDRAM）、字符发生器ROM（CGROM）、字符发生器RAM（CGRAM）◆◆、地址计数器（AC）。IR用于寄存指令码，只能写入不能读出◆◆★★◆；DR用于寄存数据，数据由内部操作自动写入DDRAM和CGRAM，或者暂存从DDRAM和 CGRAM读出的数据。BF为1时■■，液晶模块处于内部处理模式■■★，不响应外部操作指令和接受数据。DDRAM用来存储显示的字符◆■■■■，能存储80个字符码◆★■■■■。CGROM由8位字符码生成5*7点阵字符160种和 5*10点阵字符32种，8位字符编码和字符的对应关系★◆，可以查看相关文献★◆◆。CGRAM是为用户编写特殊字符留用的，它的容量仅64字节。可以自定义8个 5*7点阵字符或者4个 5*10点阵字符■■◆★。AC可以存储DDRAM和 CGRAM的地址★■，如果地址码随指令写入 IR★★★■★，则IR自动把地址码装入AC，同时选择DDRAM或者CGRAM单元。 基于51单片机的万年历设计全文共40页，当前为第4页★◆■◆■。 3.1.1 LM016L引脚说明 管脚号名称电平功能描述 1 VSS 0V 2 VDD 5.0V 3 RS H/L H◆◆◆◆★：数据线上为数据信号；L：数据线 RW H/L H◆■◆：读数据模式；L：写数据模式 5 E H/L 使能信号端 6 DB0~DB7 H/L 数据线 控制指令 控制指令通过对HD44780写入控制指令，HD44780产生显示驱动信号来驱动LM016L■■■★◆◆。 基于51单片机的万年历设计全文共40页，当前为第5页。HD44780的控制指令主要有：清除显示（Clear Display）★★◆■、地址归位（ Return Home）、输入模式设定（Entry Mode Set）、显示开/关控制（Display On/Off Control）★★◆◆■★、功能设定（Function Set）、设定CGRAM的地址（Set CGRAM Address）、设定DDRAM的地址（Set DDRAM Address）◆■、写DDRAM/CGRAM（Write Date to DDRAM/CGRAM）■◆◆★★、读忙标志和地址（Read Busy Flagand Address）以及从DDRAM和CGRAM中读数据（Read Date from DDRAM/CGRAM）■◆■◆。 基于51单片机的万年历设计全文共40页，当前为第5页。 3.1★◆◆.3 基于Proteus ISIS 7的液晶模块仿线、接口设计 运行Proteus ISIS 7进入设计界面，依照图所示在元件库中选择需要的元件。80C51的P0口作为8位数据的输出端，P2■■.0★★■◆、P2.1★◆、P2.2作为控制信号的输出端◆◆■★★★。 2★★■、软件设计 电路图绘制好之后★◆，就可以编写LM016L的驱动程序。 LM016L的操作有两大类：读操作和写操作。一般情况下不需要从液晶中读取数据，所以对液晶操作主要是写指令和写数据两个写操作，对于忙标志（BF），采用延时的方法◆★■◆，保证液晶模块有足够时间进行内部数据处理。在写源程序时◆■◆★■，需要根据液晶模块的时序图编写程序■★★★★◆。 （1）写指令子程序 RS R/WE DB0 - DB7 WRITE_COMMAND：；写指令子程序 CLR[4] LCDE★◆；清使能信号 CLR RS；RS=0，RW=0写指令 CLR RW MOV P0, A ■◆◆◆★；送指令字 （2）写数据子程序 WRITE_DATA 入口参数：数据放在累加器A中 WRITE_DATA★■■：★★■◆★■；写数据子程序 CLR LCDE；清使能信号 SETB RS ；RS=1，RW=0写数据 CLR RW MOV P0, A ；送数据 RS BIT P2■■■★◆.0； RW BIT P2■◆■◆.1；LCDE BIT P2.2 基于51单片机的万年历设计全文共40页■★■■★，当前为第6页◆■。下面是写指令和写数据的源代码： 基于51单片机的万年历设计全文共40页，当前为第6页。 写指令子程序WRITE_COMMAND 入口参数■★◆★◆：指令字放在累加器A中 有效数据 T2 T3 T1 T4 SETB LCDE LCALL DELAY CLR LCDE RET SETB LCDE LCALL DELAY CLR LCDE RET ；设置使能信号 ；延时 ；设置使能信号 ；延时 液晶模块初始化主要包括：功能设定（Function Set）、显示开/关控制（Display On/OffControl）、清除显示（Clear Display）★■■◆、进入点设定（Entry Mode Set）★◆◆■★。 INITIAL_LCD◆◆★★：★■★◆■；液晶模块初始化 MOV A，#06H ； 输入方式设置；8位接口■◆◆◆，两行显示★★◆■◆，5*7点阵字符 LCALL WRITE_COMMAND MOV A，#38H MOV A◆■◆◆★，#01H ；清屏指令 基于51单片机的万年历设计全文共40页，当前为第7页。LCALL WRITE_COMMAND LCALL WRITE_COMMANDMOV A，#0EH ；显示开关设置 RET 基于51单片机的万年历设计全文共40页■◆★★，当前为第7页。 LCALL WRITE_COMMAND3★◆■.3自定义字符及其显示 CGRAM是用户编写特殊字符用的，它的容量仅64字节◆◆★◆★◆，地址为00~3FH◆◆◆★■。定义一个5*7点阵字符需要8个字节■■★◆★，这8个字节由CGRAM地址的高3位确定★★◆◆★，相同的为一组◆◆★。 3.2 单片机AT89C51 AT89C51是一种带4K字节闪烁可编程可擦除只读存储器（FPEROM—Falsh Programmable and Erasable Read Only Memory）的低电压，高性能CMOS8位微处理器，俗称单片机■★★■。AT89C2051是一种带2K字节闪烁可编程可擦除只读存储器的单片机★■。单片机的可擦除只读存储器可以反复擦除100次★■★★■★。该器件采用ATMEL高密度非易失存储器制造技术制造，与工业标准的MCS-51指令集和输出管脚相兼容。由于将多功能8位CPU和闪烁存储器组合在单个芯片中★■★■■★，ATMEL的AT89C51是一种高效微控制器，AT89C2051是它的一种精简版本。AT89C单片机为很多嵌入式控制系统提供了一种灵活性高且价廉的方案■■★。 基于51单片机的万年历设计全文共40页■★★，当前为第8页。3★◆■★■◆.2.1 主要特性·与MCS-51 兼容 ·4K字节可编程闪烁存储器 寿命：1000写/擦循环数据保留时间：10年·全静态工作：0Hz-24Hz·三级程序存储器锁定·128*8位内部RAM·32可编程I/O线个中断源 ·可编程串行通道·低功耗的闲置和掉电模式·片内振荡器和时钟电路 基于51单片机的万年历设计全文共40页，当前为第8页。 基于51单片机的万年历设计全文共40页，当前为第9页。3■★★◆■.2.2 管脚说明★★? VCC◆★■：供电电压。?? GND■■：接地。?? P0口：P0口为一个8位漏级开路双向I/O口，每脚可吸收8TTL门电流★★◆◆■◆。当P1口的管脚第一次写1时■■★★，被定义为高阻输入。P0能够用于外部程序数据存储器，它可以被定义为数据/地址的第八位。在FIASH编程时，P0 口作为原码输入口，当FIASH进行校验时，P0输出原码★★，此时P0外部必须被拉高。?? P1口：P1口是一个内部提供上拉电阻的8位双向I/O口，P1口缓冲器能接收输出4TTL门电流。P1口管脚写入1后，被内部上拉为高◆■★，可用作输入，P1口被外部下拉为低电平时，将输出电流，这是由于内部上拉的缘故。在FLASH编程和校验时，P1口作为第八位地址接收。 ?★★■★■? P2口：P2口为一个内部上拉电阻的8位双向I/O口◆■，P2口缓冲器可接收■★★，输出4个TTL门电流，当P2口被写“1■◆■★”时◆◆，其管脚被内部上拉电阻拉高，且作为输入★■★。并因此作为输入时◆■，P2口的管脚被外部拉低■◆■◆，将输出电流◆■★★★。这是由于内部上拉的缘故。P2口当用于外部程序存储器或16位地址外部数据存储器进行存取时，P2口输出地址的高八位■◆◆★■■。在给出地址“1”时，它利用内部上拉优势，当对外部八位地址数据存储器进行读写时，P2口输出其特殊功能寄存器的内容。P2口在FLASH编程和校验时接收高八位地址信号和控制信号。◆◆★◆?? P3口：P3口管脚是8个带内部上拉电阻的双向I/O口★★◆★■★，可接收输出4个TTL门电流。当P3口写入★◆■★◆“1”后，它们被内部上拉为高电平，并用作输入。作为输入◆■★■◆，由于外部下拉为低电平★★◆，P3口将输出电流（ILL）这是由于上拉的缘故。 P3口也可作为AT89C51的一些特殊功能口，如下表所示：P3口管脚 备选功能 P3.0 RXD（串行输入口） P3.1 TXD（串行输出口） P3.2 /INT0（外部中断0） P3.3 /INT1（外部中断1） P3.4 T0（记时器0外部输入） P3◆★◆.5 T1（记时器1外部输入） P3.6 /WR（外部数据存储器写选通） P3★★★■◆.7 /RD（外部数据存储器读选通）P3口同时为闪烁编程和编程校验接收一些控制信号。◆■◆★? RST：复位输入。当振荡器复位器件时，要保持RST脚两个机器周期的高电平时间。 ALE/PROG：当访问外部存储器时，地址锁存允许的输出电平用于锁存地址的地位字节。在FLASH编程期间，此引脚用于输入编程脉冲。在平时，ALE端以不变的频率周期输出正脉冲信号◆◆，此频率为振荡器频率的1/6。因此它可用作对外部输出的脉冲或用于定时目的。然而要注意的是：每当用作外部数据存储器时，将跳过一个ALE脉冲。如想禁止ALE的输出可在SFR8EH地址上置0。此时，ALE只有在执行MOVX◆■◆，MOVC指令是ALE才起作用。另外，该引脚被略微拉高。如果微处理器在外部执行状态ALE禁止，置位无效。■★★◆◆? /PSEN：外部程序存储器的选通信号。在由外部程序存储器取指期间，每个机器周期两次/PSEN有效。但在访问外部数据存储器时，这两次有效的/PSEN信号将不出现。基于51单片机的万年历设计全文共40页，当前为第10页。■★■■◆■? /EA/VPP◆★：当/EA保持低电平时■◆★★◆，则在此期间外部程序存储器（0000H-FFFFH），不管是否有内部程序存储器◆■。注意加密方式1时，/EA将内部锁定为RESET；当/EA端保持高电平时，此间内部程序存储器。在FLASH编程期间，此引脚也用于施加12V编程电源（VPP）。??XTAL1：反向振荡放大器的输入及内部时钟工作电路的输入。??XTAL2：来自反向振荡器的输出■★★。 基于51单片机的万年历设计全文共40页，当前为第9页。 基于51单片机的万年历设计全文共40页◆■◆★★，当前为第10页。 3.2◆◆★.3 振荡器特性?◆■■◆■◆?XTAL1和XTAL2分别为反向放大器的输入和输出。该反向放大器可以配置为片内振荡器★■。石晶振荡和陶瓷振荡均可采用■■。如采用外部时钟源驱动器件，XTAL2应不接★★。有余输入至内部时钟信号要通过一个二分频触发器，因此对外部时钟信号的脉宽无任何要求，但必须保证脉冲的高低电平要求的宽度。 3.2★◆★★.4 芯片擦除功能??整个PEROM阵列和三个锁定位的电擦除可通过正确的控制信号组合，并保持ALE管脚处于低电平10ms 来完成。在芯片擦操作中★■■，代码阵列全被写“1◆◆■★■”且在任何非空存储字节被重复编程以前★■◆■，该操作必须被执行◆■■◆★。 此外，AT89C51设有稳态逻辑，可以在低到零频率的条件下静态逻辑，支持两种软件可选的掉电模式。在闲置模式下，CPU停止工作。但RAM◆★◆★◆，定时器，计数器，串口和中断系统仍在工作。在掉电模式下■★◆■，保存RAM的内容并且冻结振荡器★◆，禁止所用其他芯片功能，直到下一个硬件复位为止。 3.3 时钟芯片DS1302 基于51单片机的万年历设计全文共40页，当前为第11页★◆■◆◆。DS1302在每次进行读、写程序前都必须初始化◆★★★◆，先把SCLK端置 ★◆◆★★★“0”■◆★■，接着把RST端置★■◆◆“1”，最后才给予SCLK脉冲；读/写时序如下图3.3.1所示。DS1302的控制字，此控制字的位7必须置1，若为0则不能把对DS1302进行读写数据。对于位6，若对程序进行读/写时RAM=1★■★★，对时间进行读/写时，CK=0。位1至位5指操作单元的地址。位0是读/写操作位，进行读操作时■■■★，该位为1；该位为0则表示进行的是写操作。控制字节总是从最低位开始输入/输出的★★◆。DS1302的日历、时间寄存器内容：“CH”是时钟暂停标志位◆◆★★◆，当该位为1时★■★■◆，时钟振荡器停止，DS1302处于低功耗状态◆★★★；当该位为0时，时钟开始运行。★■★“WP■■★★★★”是写保护位◆◆■，在任何的对时钟和RAM的写操作之前，WP必须为0。当“WP■■◆■◆”为1时★■◆■◆◆，写保护位防止对任一寄存器的写操作。 基于51单片机的万年历设计全文共40页■★■◆■，当前为第11页。 3.3.1 DS1302的控制字节 DS1302的控制字节的高有效位（位7）必须是逻辑1◆◆◆，如果它为0，则不能把数据写入DS1302中◆★■■★；位6如果0■★■★◆，则表示存取日历时钟数据，为1表示存取RAM数据；位5至位1指示操作单元的地址；最低有效位（位0）如为0表示要进行写操作■★◆◆■，为1表示进行读操作★★■■★◆，控制字节总是从最低位开始输出。 3.3■◆■◆.2 数据输入输出（I/O） 在控制指令字输入后的下一个SCLK时钟的上升沿时，数据被写入DS1302，数据输入从低位即位0开始★★★■◆■。同样◆■★★★，在紧跟8位的控制指令字后的下一个SCLK脉冲的下降沿读出DS1302的数据◆★★■★★，读出数据时从低位0位到高位7■◆■。如下图3.3所示 图3.3◆★◆★★.1 DS1302读/写时序图 3.3.3 DS1302的寄存器 DS1302有12个寄存器■★■■，其中有7个寄存器与日历、时钟相关，存放的数据位为BCD码形式■◆■■◆,其日历、时间寄存器及其控制字见表3◆■★.3★◆◆■★■.2◆■★◆◆。 基于51单片机的万年历设计全文共40页，当前为第12页★■。 基于51单片机的万年历设计全文共40页★■，当前为第12页。 表3.3◆■.2 DS1302的日历■◆■◆◆、时间寄存器 此外■◆★◆■◆，DS1302 还有年份寄存器、控制寄存器■■◆★、充电寄存器★■◆◆、时钟突发寄存器及与RAM相关的寄存器等★■。时钟突发寄存器可一次性顺序读写除充电寄存器外的所有寄存器内容。 DS1302与RAM相关的寄存器分为两类◆■★：一类是单个RAM单元，共31个，每个单元组态为一个8位的字节，其命令控制字为C0H～FDH，其中奇数为读操作，偶数为写操作；另一类为突发方式下的RAM寄存器■★■■，此方式下可一次性读写所有的RAM的31个字节，命令控制字为FEH(写)、FFH(读)。 3.4 DS18B20数字温度传感器 3.4◆◆★.1技术性能描述 1★■■■、独特的单线在与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与DS18B20的双向通讯■★。 2■■■■■◆、测温范围 －55℃～+125℃，固有测温分辨率0.5℃。 3★◆◆■■★、支持多点组网功能，多个DS18B20可以并联在唯一的三线个，实现多点测温，如果数量过多，会使供电电源电压过低★★◆◆，从而造成信号传输的不稳定。 4、工作电源: 3~5V/DC。 5、在使用中不需要任何外围元件。 6、测量结果以9~12位数字量方式串行传送。 基于51单片机的万年历设计全文共40页，当前为第13页。应用范围 基于51单片机的万年历设计全文共40页，当前为第13页。 该产品适用于冷冻库、粮仓、储罐、电讯机房、电力机房★■★◆◆、电缆线槽等测温和控制领域。 接线说明 特点:独特的一线接口，只需要一条口线通信多点能力◆★，简化了分布式温度传感应用无需外部元件可用数据总线 V◆■，无需备用电源测量温度范围为-55 ℃至+125 ℃ 。 3■★★◆◆★.4.2 DS18B20主要的数据部件 光刻ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的，它可以看作是该DS18B20的地址序列码◆★。64位光刻ROM的排列是：开始8位（28H）是产品类型标号，接着的48位是该DS18B20自身的序列号，最后8位是前面56位的 循环冗余校验码（CRC=X8+X5+X4+1）。光刻ROM的作用是使每一个DS18B20都各不相同★■★，这样就可以实现一根总线中的温度传感器可完成对温度的测量◆■◆■■★，以12位转化为例：用16位符号扩展的二进制补码读数形式提供，以0.0625℃/LSB形式表达■■★■◆，其中S为符号位。 DS18B20内部结构主要由四部分组成：64位光刻ROM，温度传感器◆◆，温度报警触发器TH和TL,配置寄存器★■★■◆★。 1★■■■■■、存储器 DS18B20的存储器包括高速暂存器RAM和可电擦除RAM■■★★■★，可电擦除RAM又包括温度触发器TH和TL，以及一个配置寄存器。存储器能完整的确定一线端口的通讯，数字开始用写寄存器的命令写进寄存器，接着也可以用读寄存器的命令来确认这些数字★■★◆。当确认以后就可以用复制寄存器的命令来将这些数字转移到可电擦除RAM中。当修改过寄存器中的数时，这个过程能确保数字的完整性。 基于51单片机的万年历设计全文共40页，当前为第14页。高速暂存器RAM是由8个字节的存储器组成；第一和第二个字节是温度的显示位。第三和第四个字节是复制TH和TL，同时第三和第四个字节的数字可以更新；第五个字节是复制配置寄存器，同时第五个字节的数字可以更新★★◆◆★；六、七、八三个字节是计算机自身使用。用读寄存器的命令能读出第九个字节■◆■★★，这个字节是对前面的八个字节进行校验◆★★。 基于51单片机的万年历设计全文共40页◆◆★★★，当前为第14页■★★。 2、64-位光刻ROM 64位光刻ROM的前8位是DS18B20的自身代码■◆，接下来的48位为连续的数字代码，最后的8位是对前56位的CRC校验■◆◆■。64-位的光刻ROM又包括5个ROM的功能命令：读ROM，匹配ROM◆◆★，跳跃ROM，查找ROM和报警查找。 3◆◆、DS18B20外部电源的连接方式 DS18B20可以使用外部电源VDD，也可以使用内部的寄生电源■★◆★。当VDD端口接3■★★★◆.0V—5.5V的电压时是使用外部电源■■◆■■；当VDD端口接地时使用了内部的寄生电源。无论是内部寄生电源还是外部供电■◆★◆，I/O口线KΩ左右的上拉电阻◆★★★。 4、配置寄存器 配置寄存器是配置不同的位数来确定温度和数字的转化★■★★◆。R1★■◆■■，R0是温度的决定位，由R1，R0的不同组合可以配置为9位■■■■，10位■★◆■★■，11位■◆★，12位的温度显示。这样就可以知道不同的温度转化位所对应的转化时间，四种配置的分辨率分别为0.5℃，0.25℃，0.125℃和0.0625℃，出厂时以配置为12位 3■■★■◆■.4★◆.3 DS18B20温度处理过程 1★■、温度的读取 DS18B20在出厂时以配置为12位★■◆■，读取温度时共读取16位，所以把后11位的2进制转化为10进制后在乘以0■★.0625便为所测的温度，还需要判断正负。前5个数字为符号位■★，当前5位为1时■◆■★◆■，读取的温度为负数；当前5位为0时，读取的温度为正数。 2、DS18B20控制方法 指令约定代码操作说明 （1）温度转换44H启动DS18B20进行温度转换 基于51单片机的万年历设计全文共40页，当前为第15页★★■◆。（2）读暂存器BEH读暂存器9位二进制数字 基于51单片机的万年历设计全文共40页◆★■◆◆◆，当前为第15页★■★。 （3）写暂存器4EH将数据写入暂存器的TH、TL字节 （4）复制暂存器48H把暂存器的TH、TL字节写到E2RAM中 （5）重新调E2RAM B8H把E2RAM中的TH、TL字节写到暂存器TH、TL字节 （6）读电源供电方式B4H启动DS18B20发送电源供电方式的信号给主CPU 3、DS18B20的初始化 （1）先将数据线c◆★★■;

　　（五调）武汉市2025届高三年级五月模拟训练数学试卷（含答案解析）.pdf